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简单讲,IGBT是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。
随着国内IGBT行业斯达半导的上市,并挤进全球IGBT模块供应商0,国产替代技术已经达到门槛。功率半导体是半导体行业的细分领域,虽不像集成电路一样被大众熟知,但其重要性不可忽视。1990-2010年,这20年时间内,IGBT节能效果为全球客户累计节省了约18万亿美元,减少了约100万亿磅的二氧化碳排放。IGBT作为电子电力装置和系统中的“CPU”,节能减排的主力军,有着强大的生命力,我们现在还离不开IGBT!
IGBT的种类有哪些?
绝缘栅双极晶体AD795JR管根据其结构主要分为N沟道IGBT和P沟道IGBT管两大类。
IGBT的开关损耗与MOSFET相比有什么不同?
开关损耗主要包括关断时的损耗(关断损耗)和开通时的损耗(开通损耗)。在常温下,IGBT和MOSFET的关断损耗差不多。IGBT开通损耗的平均值比MOSFET咯小。MOSFET的开通损耗与温度关系不大,而对于IGBT,温度每增加100℃,损耗增加2倍。两种器件的开关损耗与电流相关,电流越大,损耗越高。
由于IGBT在电能转换中扮演的重要角色,它能够为各种高电压和大电流应用提供更高的效率和节能效果,被广泛应用于工业控制、新能源、变频家电等领域。特别是在新能源汽车中,IGBT 模块占电动车整车成本约5%左右,是除电池之外成本第二高的元件。根据IHS预测,全球汽车电动化用IGBT模块未来5年复合增长率高达23.5%。目前国内IGBT供需差距巨大,国产量仅为市场销量的七分。
2018 年国内市场 IGBT 模块需求量为7898万只,但是国内产量只有1115万只,供需缺口巨大。据业内人士透露,IGBT整体市场规模会保持每年10%以上的增长速度,主要受益于新能源汽车行业的发展。但是国产IGBT的增长速度会远高于此,以上市公司斯达半导体为例,2016年至2018年,连续保持45%以上的增长率。国内诸多公司以IGBT为主营业务的公司实现了高速增长。
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