适合频率不限
导电方式绝缘
规格不限
工作电压不限
用途范围不限
深圳诚芯源电子回收公司长期收购库存IC电子呆料，回收ic芯片，传感器，高频管，单片机，CPU，模块，内存字库主板等多种电子元件。
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏极电流限制，其值一般取为15V左右。
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。
IGBT模块是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT模块的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损。为此，必须但对IGBT模块进行相关保护本文从实际应用出发，总结出了过流、过压与过热保护的相关问题和各种保护方法，实用性强，应用效果好。
欢迎广大客 以诚信为本，质量可靠，价格优惠，用户至上，协同双赢。 欢迎您来电来函垂询，我们会以优惠的价格、可靠的质量，竭诚为您提供热情周到的服务，以满足您的需求。
http://www.huishouigbt.com
