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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上; IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见; IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
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国内市场需求急剧上升曾使得IGBT市场一度被看好。虽然长期来看,IGBT是一个值得期待的市场,可是到目前为止IGBT的核心技术和产业为大多数IDM半导体厂商所掌控,中国在2014年6月成功研制出8寸IGBT芯片,打破国际垄断 。并且随着各国都将削减可再生能源及交通等领域的支出,IGBT市场能否再度增长?
根据新的调查报告显示,各种IGBT器件和模块的销售额在2013年将有一定程度的复苏,2014年稍稍减速,待经济复苏并稳定后,从2015年开始将稳定增长。虽然2013年IGBT市场增长趋势有所下降,但随着国内技术的进步,其发展前景还是十分被看好的。
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回收英飞凌IGBT:英飞凌模块介绍了光电耦合器件的功能和特点。三相电压型逆变器的每相均由上下桥臂(两个IGBT)组成,采用驱动IGBT模块的上桥臂,采用驱动IGBT模块的下桥臂。
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IGBT的种类有哪些?
绝缘栅双极晶体AD795JR管根据其结构主要分为N沟道IGBT和P沟道IGBT管两大类。
IGBT的开关损耗与MOSFET相比有什么不同?
开关损耗主要包括关断时的损耗(关断损耗)和开通时的损耗(开通损耗)。在常温下,IGBT和MOSFET的关断损耗差不多。IGBT开通损耗的平均值比MOSFET咯小。MOSFET的开通损耗与温度关系不大,而对于IGBT,温度每增加100℃,损耗增加2倍。两种器件的开关损耗与电流相关,电流越大,损耗越高。
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